收藏本站
IRL3715Z/S/LPbF
1000
100
TOP
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
1000
100
TOP
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
BOTTOM 3.0V
10
3.0V
10
3.0V
1
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000
2.0
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
I D = 30A
VGS = 10V
100
T J = 25°C
T J = 175°C
1.5
1.0
VDS = 10V
60μs PULSE WIDTH
10
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
vs. Temperature
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRL3716STRLPBF MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
IRL3803STRR MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
IRL3803 MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
IRL510STRLPBF MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
IRL520NSTRR MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
IRL530NSTRR MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
IRL530STRL MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
IRL540STRR MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
相关代理商/技术参数
IRL3715ZSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3715ZSTRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3716 功能描述:MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3716HR 制造商:International Rectifier 功能描述:IRL3716HR - Tape and Reel
IRL3716L 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRL3716LPBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3716PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3716S 功能描述:MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件